台积电、三星发展7nm各有盘算

为证明自己在全球晶圆代工的领先地位，三星电子(SamsungElectronics)与台积电不约而同在2017国际固态电路大会(InternationalSolid-StateCircuitsConference；ISSCC)发表了各自最新的制程技术，然而2家厂商透露了相当不同的7奈米制程发展方向。

　　根据EETimes报导，台积电赢得了苹果(Apple)iPhoneSoC大部分的订单后，积极于2017年投入了10奈米晶片的量产推进，并预计于2018年开始提升7奈米晶片的产量，以应付iPhone8(暂订)的需求。另一方面，没有了苹果订单的压力，三星不需急于投入7奈米制程，而是打算借由极紫外光显影技术(EUV)展现晶圆代工实力。

　　SRAM被视为是推动下一代节点技术的关键。台积电在ISSCC上展示的7奈米制程256MbSRAM测试晶片，存储单元(bit-cell)面积仅有0.027平方公厘，是2017年进入风险生产的SRAM当中，体积最小的。其SRAM巨集将使用7层金属层，晶粒总面积为42平方公厘，比台积电的16奈米版本小了0.34倍。

　　更重要的是，台积电表示其以7奈米制程打造的SRAM测试晶片，其良率已经展现相当水准，达成台积电的设计目标。

　　三星的技术进展则是侧重在研究方面。三星发展出了一套创新的修复程序，并分别针对既有曝光机与EUV设备进行测试，结果证实EUV的确拥有较佳的表现。

　　然而修复程序并不是生产流程的一部分，因此无法说明三星是否已准备好将EUV应用在7奈米制程。三星在大会上发表的8Mb测试SRAM晶片，也未使用EUV。

　　专家认为到了2020年，EUV便可应用在某些关键层上。三星曾在2016年底时表示，他们将会把EUV运用在7奈米制程，但并未透露使用的范围。

　　三星的7奈米时程或许会落后台积电1到3年，但三星的7奈米一旦起步，就可透过导入EUV的使用，至少在行销策略上取得更大的优势，三星打的算盘类似2015年台积电16奈米制程与三星14奈米制程代工iPhoneAP之对垒一般，台积电的16奈米制程打造的iPhone系统单晶片，其实在散热方面更优于三星一筹，但外行人却从奈米制程表面的数字，以为台积电制程技术落后于三星。

来源:DIGITIMES