紫光国芯第四代DRAM存储器成功通过科技成果评价

2017年3月22日，受工业和信息化部电子科学技术情报研究所委托，北京中企慧联科技发展中心在北京主持召开由紫光国芯股份有限公司／西安紫光国芯半导体有限公司自主研发的“高性能第四代DRAM存储器”科技成果评价会。

　　北京中企慧联评价机构严格按照《科技成果评价试点暂行办法》的有关规定和要求，秉承客观、公正、独立的原则，聘请同行专家对该项科技成果进行了评价。评价委员会听取了项目完成单位的技术总结报告，对评价资料进行了审查，经严格质询和充分讨论形成了评价意见。

　　本项目所开发的DDR4和LPDDR4DRAM围绕国内移动主控、国产CPU芯片和整机厂商的需求，提供可配置的存储器产品，并进行产业化应用，填补我国第四代接口DRAM产品的空白，替代进口产品，支持国产化需要，保障信息产业安全。通过与国内移动主控、国内CPU和整机方案技术互动，形成联合竞争优势，促进国产移动主控、CPU、存储器、移动终端、大数据和云计算等相关产业加快发展，助力国家智能制造和工业强基工程。

　　参加项目的评审专家有：清华大学教授陈弘毅，，北京华虹集成电路设计有限责任公司研究员李云岗，工信部电子科学技术情报研究所副所长李新社，北京电子技术研究所高工楠亚丁，中国企业联合会副会长李明星，中国科学院微电子所研究员赵超，国家计算机网络与信息安全管理中心教高常霞，等7位专家参与此次会议评价。

　　经项目评价委员会专家一致同意该项目通过科技成果评价。公司已经形成较完整的DRAM存储器产品系列，SDR／DDR1／DDR2／DDR3接口产品均已大规模量产销售，实现了国产化替代，客户反映良好。所研发的DDR2和DDR3接口DRAM存储器产品经中国电子技术标准化研究院塞西实验室检测，相关技术指标符合国际JEDEC标准要求。第四代DRAM存储器产品集成公司内嵌自检测修复（ECC）技术，拥有自主知识产权，技术水平达到国际先进。

来源:科技成果转化联盟