三星投26亿美元扩大工厂 加速生产10nm级DRAM内存

三星上月底发布了2017年Q1季度财报,营收只增加1.5%的情况下净利润大增46%,其中贡献最多的就是闪存芯片部门,也就是DRAM内存和NAND闪存。时至今日,DRAM、NAND闪存缺货、涨价的情况都没有缓解,现在还是供不应求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能,其中三星也要斥资26.4亿美元扩产Line 17工厂,下半年加速10nm级DRAM内存生产。

三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工,那个是针对NAND闪存的,主力产品将是64层堆栈的3D NAND闪存。而在DRAM领域,三星也有新的投资计划,韩国ETNews报道称三星已经通知设备供应商要扩大韩国华城市(Hwasung)的Line 17工厂,预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间,约合22-26.4亿美元。 

以300mm晶圆计算,扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆,目前的产能约为4万片晶圆/月。

三星这次扩展Line 17工厂产能的主力产品是10nm级DRAM内存,预计下半年加速生产。注意这里说的是10nm-Class,目前来说应该是18nm工艺的产品了,三星去年宣布量产18nm工艺,之后还会陆续推出17nm、16nm工艺的DRAM芯片。

PS:三星投资扩大DRAM产能是件好事,考虑到他们是全球最大的DRAM供应商,三星此举有助于推动DRAM市场供应平衡,虽然说DRAM再度降价还是很遥远的事。另外,随着紫光公司巨资建设晶圆厂,国内厂商介入NAND、DRAM领域也为期不远了,尽管他们与三星、SK Hynix等巨头还有很大差距,不过这对市场来说是个利好,多点竞争总是好事。 

来源：超能网