10年千亿美元，紫光集团目标跻身全球前五的存储器企业

国家01专项技术总师、清华大学微电子学研究所所长魏少军曾说过，存储器产业讲求规模，是一个需要长期持续投入的行业。据台湾电子时报报道，紫光集团全球执行副总裁暨长江存储代行董事长高启全透露，紫光集团以拿下25%的DRAM市占为目标，若计入3DNAND投入成本，需要长达十年共计1000亿美元的投资金额。

　　DRAM产业正在从一个波动剧烈的市场，逐渐走向成熟。现阶段，DRAM技术每进入新一代制程技术仅增加20%的半导体机台设备，这意味着既存的半导体厂商的多数机台设备已经折旧完，如果购买全新的设备投入追赶显得并不明智。然而，在传统2D走向3DNAND技术时，几乎所有的半导体机台设备都要更换，技术也在革新中，在投入方面所有存储器厂商都处在同一个出发点，踩准这一时机大力投入，积极追赶是非常好的机会。

　　在具体的投入金额方面，高启全算了一笔账。紫光集团拿下25%的DRAM市占为目标做例子，晶圆厂的每月单月产能在30万片，制程设备方面投资需要270亿美元，建厂成本在330亿美元，产能满载后的每年固定投资在30~40亿美元，累计5年再投资150~200亿美元，总投资金额需要480~530亿美元，若再计入3DNAND的投资计划，未来10年紫光集团在存储器领域的总投资金额将高达1000亿美元。

　　这是一笔巨大的投入。回顾台湾存储器产业的失败的原因，高启全表示，1985年，英特尔正式退出DRAM领域，在经历了日本、韩国积极投入，后来者居上，韩国最终坐稳了第一把交椅。台湾在2008年成立台湾创新内存（TMC/TIMC）计划集中发展DRAM产业资源，但终究因为资金问题未能如愿，原本5000亿新台币的资金需求，政府仅提供了80亿，远远达不到预期。

　　他强调，“现在唯一有机会成为全球抗衡三星势力的只有大陆，紫光会把这梦化为具体的实践！”一定要有人扮演在全球平衡三星的势力，目前只有大陆有能力有资金投入进来，长江存储就是基于这个出发点而诞生，也是大基金唯一真正投资的存储器企业。

　　目前，长江存储已齐聚500名研发人员在武汉投入3DNAND开发，同时考虑研发20/18纳米的DRAM产品，希望在技术开发具有一定竞争力后再投产。据长江存储CEO杨士宁介绍，其32层3DNAND芯片顺利实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，今年底将提供样片，继续向64层3DNAND发展。高启全高调欢迎美光（Micron）加入合作，直言双方合则两利，美光近一年来在全球DRAM市占率从28%掉到18%，不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦。

　　据集微网了解，继长江存储武汉的生产基地动工后，紫光集团董事长赵伟国表示，再砸460亿美元在成都和南京两地启动半导体基地，三个生产基地合计共投入700亿美元。他希望在十年内，紫光集团将跻身全球前五大存储器制造商。“只要有足够的时间，中国半导体就能发展起来。”

　　在人才方面，市场传出紫光集团网罗前晨星创办人杨伟毅出任紫光旗下长江存储公司CTO，又延揽晶圆代工厂联电前CEO孙世伟，担任全球执行副总裁一职。杨伟毅是当初晨星的研发领袖，半导体业界人士评估，他的技术能力将让紫光如虎添翼。而孙世伟加入后，将协助紫光在成都设立12寸晶圆厂，扩大紫光集团在整个半导体蓝图的构建，与高启全联手共筑逻辑和存储器的双版图。

来源:集微网