在英特尔宣布进入ARM芯片代工市场，并为展讯代工了14nm八核X86架构的64位LTE芯片平台SC9861G-IA后，另一IDM模式巨头三星于日前宣布将成立一个独立的代工或合同芯片制造业务部门，强化代工业务。排名全球前两位的半导体厂商对晶圆代工市场表现出了浓厚的兴趣，那么台积电、格罗方德、联电及中芯国际等纯晶圆代工市场上的四强又在做什么呢？

台积电

在晶圆代工领域，台积电是当之无愧的老大，也是英特尔和三星在代工市场上最强的对手。除了10nm制程工艺用于今年下半年将发布的iPhone 8的A11芯片外，早前曾有报道表示，台积电已经在测试尖端7nm芯片产品，且会在2018年量产，并将在一年后再投产EUV极紫外光刻技术加持的新版7nm。而台积电5nm将会在2019年试产，主打移动设备和高性能计算。

在5月25日的台积电技术论坛上，台积电首次揭露了研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取内存）和eRRAM（嵌入式电阻式内存）分别将在明后年进行风险性试产，主要采用22nm制程。

格罗方德

在三星和台积电就10nm制程工艺“大打出手”的时候，格罗方德却决定跳过10nm直取7nm制程。虽然没有对10nm“出手”，但格罗方德在去年推出了12nm FD-SOI工艺，对比16nm FinFET工艺，12nm制程能够将功耗降低50%，性能提升15%，掩膜成本较10nm降低40%。不过根据早前格罗方德透露的信息，全新的12nm FD-SOI工艺在2019年才能投入量产。

虽然制程工艺进步的脚步比不过台积电，但近日一则有关全球首款5nm芯片的消息中，却出现了格罗方德的身影。IBM日前宣布，与三星、格罗方德组成的联盟已经成功开发出业界第一个全新的硅纳米片晶体管，为实现5nm工艺铺平了道路。

另外格罗方德携手成都市成立的合资公司格芯已经展开建设工作，预计将于2018年年初完工。完工后，该晶圆厂将率先投入主流工艺的生产，进而专注于22FDX的制造，预计将于2019年开始实现量产。

联电

联电虽然贵为台湾晶圆代工双雄，但在晶圆代工市场上远不如台积电精彩。今年年初时，公司宣布了其自主研发的14nm FinFET工艺，已成功进入客户芯片量产阶段，且良率已达先进制程的业界竞争水准。在成功量产14nm后，联电也启动了厦门子公司联芯的28nm制程量产计划，剑指大陆快速成长的中低端手机芯片市场。

中芯国际

中芯国际作为大陆晶圆代工一哥，已经开始量产28nm PolySiON工艺，而对于更高级并将扮演更重要角色的28nm HKMG，中芯国际曾透漏，对于HKMG平台，今年将积极导入设备与试产，最快第三季备妥产能，预期今年“会持续成长，但贡献度有限”。 

新任CEO赵海军也表示过，中芯将持续投入28nm新平台与14nm研发的推进，预计2019年14nm投入试产。

另外，中芯国际也开始启动了7nm制程工艺的研发，并与北方华创、中微建立了长期合作关系。