中国半导体影响力渐强 韩厂有压力

存储报价水涨船高，三星电子(SamsungElectronics)半导体部门和SK海力士(SKHynix)上半年大赚一票。最新数据显示，韩国五月份半导体出口创历史新高。

　　根据韩国工商业能源部(MOCIE)公布数据，五月份半导体出口额来到76亿美元，较去年同期跳增56%，主要归功于DRAM与系统半导体出口强劲。

　　从半导体设备出货数据判断，韩国或许已超越台湾成为全球最大半导体制造地。国际半导体产业协会（SEMI）数据显示，韩国今年第一季半导体设备采购额来到35.3亿美元，较去年同期暴增110%，同时间中国台湾成长84%至34.8亿美元。

　　中国大陆第一季半导体体设备采购额来到20.1亿美元，全球排名第三，但与去年第四季做比较，季增率达74%，位居是全球之首。北美、日本同期间分别成长3%与19%，欧洲则是下滑1%。

　　整体来看，全球首季半导体设备出货来到历史新高的131亿美元，较前季成长14%、较去年同期成长58%。但韩媒警告，当前的繁荣景象恐怕只是暂时性的，来自中国的隐忧，恐让韩国半导体业大受打击。

　　南韩媒体BusinessKorea日前报导，UBSSecurities今(2017)年2月就曾出言示警，声称中国IT业者大举建立库存，是半导体报价去年大涨的主因，下半年DRAM、NAND型快闪存储恐将严重过剩。

　　仔细分析中国国家统计局的资料就可发现，在2015年1-8月期间，中国的半导体库存从人民币2,775亿元一路上冲至历史高3,330亿元，随后在2016年1月下滑至2,784亿美元，直到2017年4月才反弹至3,305亿元。然而，最近中国的半导体库存年增率只有个位数、甚至负成长，远不如2015年的20-50%成长率。也就是说，目前中国IT企业并未大举建立库存。业界消息显示，部分陆企今年第一季开始减产、零组件订单的缩减幅度也比往年还要高。

　　不只如此，DRAM、NAND型快闪存储下半年的供应量势将跳增，供需日益失衡。三星位于平泽市的新厂预定7月投产，SK海力士在利川的M14厂房则已开始扩充产能。美光(MicronTechnology)也在拉高DRAM、NAND型快闪存储的产量，英特尔(IntelCorp.)则计划在下半年生产NAND型快闪存储。另外，紫光集团等中国半导体业者，也预定会在明年增添供给量。

　　先前就有报导直指，三星电子率先量产18纳米DRAM，把同业抛在脑后。竞争对手美光和SK海力士则不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。

　　NikkeiAsianReview、BusinessKorea报导，三星是DRAM龙头，制程领先对手1~2年，2016年下半首先量产18纳米DRAM，计画今年下半推进至15纳米。IHSMarkit估计，今年底为止，三星打算把18纳米DRAM的生产比重，提高至30%。业界人士说，三星会以利润优先，不会扩产抢市，打乱价格。

　　三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计画未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

　　与此同时，SK海力士也准备在今年下半量产电脑用的18纳米DRAM，接着再投入行动装置用的18纳米DRAM。SK海力士会优先提高21纳米制程良率，之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露，该公司正在研发1yDRAM制程，但是还不确定量产时间。

来源:精实新闻