格芯7纳米FinFET工艺交付在即                  

格芯（GlobalFoundries）6月14日宣布，推出其具有7纳米领先性能的（7LP）FinFET半导体技术，将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。格芯称，与原有的14纳米FinFET相比，全新的7LP技术将提升40%的性能，目前设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。

2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的Fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。

格芯CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett表示，在推动2018年计划出厂的多样化7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在通过与合作伙伴IBM和三星的密切合作，积极开发下一代5纳米及其后续的技术。

格芯的7纳米FinFET技术充分利用了其在14纳米FinFET技术上的批量制造经验，该技术于2016年初2月8日在Fab 8晶圆厂中开始生产。为了加快7LP的量产进程，格芯正在持续投资最新的工艺设备能力，包括在今年下半年首次购进两个超紫外光（EUV）光刻工具。7LP的初始量产提升将依托传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将迁移至EUV光刻技术。

来源：大半导体产业网