半导体硅材料专家杨德仁当选中国科学院院士

昨天，中国科学院公布了2017年新增院士名单。浙江大学材料科学与工程学院教授杨德仁，当选为中国科学院院士。

　　杨德仁教授长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。

　　杨德仁，1964年4月出生，江苏扬州人，浙江大学半导体材料专业毕业。现为浙江大学材料科学与工程学院教授，浙江大学硅材料国家重点实验室主任，博士生导师。

　　他的学术贡献：主要从事半导体硅材料研究，取得了系列创新成果；提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI论文680余篇，参编英文著作5部，授权国家发明专利130余项。

　　杨德仁院士表示，当选院士，仅仅是一个新的起点。我研究的主要是半导体材料领域，90%多的电子产品，都跟硅材料有关。我希望我在自己工作的领域，能做出更多的新的贡献。我特别要强调，这不是我一个人的功劳，这是我们所有团队努力的结果。

来源:国科学院