三星/SK海力士扩产加速 正奋力追赶的中国存储产业还有戏吗？

据TheInvestor网站北京时间4月12日报道，三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3DNAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。

　　据《首尔经济新闻》报道，三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。

　　消息称，一开始，新工厂的产量将较为有限，需要几年时间才能全面运转。三星预计将于今年开始在这一芯片制造综合体运营，但是尚未正式宣布具体时间表。

　　新工厂从2015年开始建造，耗资15．6万亿韩元（约合136亿美元）。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆，3DNAND闪存芯片将占据一半以上。

　　三星目前是全球最大的NAND闪存芯片制造商。市场研究公司IHSMarkit发布的报告显示，三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32％增长到了36．1％。

　　在三星扩产的同时，来自南韩的SK海力士也在日前宣布，研发出全球首款256Gb的第4代72层3DNANDFlash，预计下半年量产。

　　南韩双雄，一个在先进技术上走得越来越快，一个在产能上越铺越大，正在奋力追赶的中国存储产业还有戏么？

　　困于技术和产业链差距，中国半导体在很长的一段时间会处于落后的追赶阶段。但业内认为，我们应该保持积极的态度，持续推进自己的产品建设，一步一个脚印，借助于我们庞大的市场，终有一日会实现并驾齐驱，甚至反超的。从目前看，我们已经跨出了重要一步。

　　据报导指出，消息人士表示，目前担任长江存储技术公司全球执行副总裁的华亚科前董事长高启全指出，现阶段长江存储正致力于开发自己的存储产品。计划在2017年底开始对客户提供32层堆叠3DNANDFlash快闪存储的样品，然后继续往开发64层堆叠3DNANDFlash的产品迈进。中间一些需要解决的技术问题，除了自己攻克之外，还需要向外寻找例如美光这样的合作伙伴，进一步解决。

　　3DNAND完成实验室研发只是一小步，后续的大规模量产才是关键。

　　Digitimes报道称长江存储科技CEO杨士宁表示3D闪存工厂的生产装备将在2018年Q1季度完成安装，2019年则会完全量产。该公司的目标是在2020年时技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平。

　　杨士宁表示了NAND闪存市场需求正在被云计算、智能终端所推动，同时中国市场也具有极大的发展潜力。

　　不论是DRAM内存还是NAND闪存市场，目前都被极少数厂商所统治，杨士宁表示长江存储科技希望打破少数公司对市场的垄断，该公司进入市场将为业界带来良性竞争。

　　中国市场消耗了全球55％的存储芯片产能，杨士宁称在强大的市场需求及中国政府的财政支持下，长江存储科技公司将增强对现有几家存储芯片公司的竞争力。

　　要想获得长久的成功，拥有自己的核心是技术也是非常关键的，长江存储科技公司目前就在这么做。杨士宁称收购或者战略投资也是该公司实现增长的另一个选择。

来源:凤凰科技