台积电在高端制程投入近万亿，三星、GF和英特尔也紧追不舍

　　台积电已向竹科管理局提出土地需求申请获准，启动竹科新研发中心建设，最快明年下半年动工。据悉，台积电竹科新研发中心总投资高达上千亿元，再加上今年1月下旬动土的南科新建晶圆18厂、竹科总部5纳米厂，以及后续3纳米投入的资金，台积电未来在高端制程将投入近万亿元人民币。

　　台积电最新申请的竹科新研发中心，紧邻竹科总部，将是串连先进制程生产与研发的重要中枢。先前台积电对董事长张忠谋预告，四年后将推动3纳米制程量产。

　　而今年1月下旬动土的南科新建晶圆18厂有望成为全球第一个量产5纳米的晶圆厂。据集微网了解，台积电5纳米总投资额超过7000亿元新台币。根据规划，18厂的第1期工程，将在2019年完成装机并进行风险试产，并且将于2020年开始正式量产。整体5纳米的3期工程完工之后，预计在2021年达成满载年产能高达100万片12寸晶圆的目标。

　　除此之外，在7纳米制程领域，台积电已经拿到百分之百的市场份额，预计将于今年第二季度投入量产，第四季度达到最大产能，收入贡献比例也将达到10％。据台积电透露，7纳米工艺已经获得50多家客户的订单，涵盖智能手机、游戏主机、处理器、AI应用、比特币矿机等等。

　　相较之下，在高端制程技术的进展方面，台积电的竞争对手三星、GlobalFoundries，以及英特尔也都紧追不舍。其中，三星近日已宣布与高通扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代5G移动芯片，将采用三星7纳米LPP极紫外光（EUV）制程。

　　据悉，高通在MWC2018前夕发布了业界传输速率最高的X24基带芯片，采用7纳米制程生产，而整合X24的骁龙855手机芯片也将在今年底采用7纳米制程投片。业界人士指出，高通今、明两年7纳米LTE芯片代工订单已由台积电拿下，明年下半年试产的5G芯片则选择三星7纳米极紫外光（EUV）制程生产。

　　同时，据韩媒透露，三星计划将投入6兆韩元(相当于56亿美元)升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备，由于每台EUV设备要价皆多达1,500亿韩元，因此仅采购机台费用就达到3～4兆韩元。此外三星6纳米晶圆厂的建设计划，也将在近期公布。

　　而GlobalFoundries也紧跟台积电7纳米量产脚步，已宣布其位于美国纽约州Fab8晶圆厂，计划2018年稍晚将开始风险试产7纳米芯片，2019年导入量产。

　　相对而言，英特尔目前还处于10纳米工艺的研发阶段，但是英特尔宣称其10纳米制程跟其他晶圆代工厂的7纳米制程处于同一等级。据路透社近日报道，2018～2020年英特尔将在以色列投资50亿美元。英特尔此前已表示，计划把该工厂的制造工艺从22纳米升级到10纳米，生产更小、速度更快的芯片。

来源:DIGITIMES