| 国IGBT暨功率器件发展（西安）研讨会圆满结束 | ||
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| 2015年11月26日，由陕西省半导体行业协会与上海先进半导体制造股份有限公司联合举办的中国IGBT暨功率器件发展（西安）研讨会，在西安香格里拉大酒店如期举行。陕西省半导体行业协会理事长、中国科学院院士郝跃，中国半导体协会副会长陈贤，陕西省决策咨询委科技组副组长邱义路，陕西省半导体行业协会副理事长、西安工程科技大学校长高勇，西安市科技局副局长任晖，上海市集成电路行业协会副秘书长徐秀法，上海先进半导体制造股份有限公司董事长陈建明博士以及西安各高校、研究所、企业等百余名专家、教授出席。陕西省半导体行业协会秘书长何晓宁主持了研讨会。 此次陕西省半导体行业协会与上海先进联合举办中国IGBT暨功率器件发展(西安)研讨会，宗旨是要与中国西部地区的同行一起研究探讨中国以IGBT暨功率器件的发展之路，向科研院校、相关高新技术企业的同行介绍上海先进功率器件的发展方向，上海先进将进一步发挥IGBT、TVS等功率器件的优势，同时将在碳化硅、氮化镓、新一代超级器件等进行布局研究。 通过研讨会的形式，在中国西北部建立起合作平台，充分发挥各自资源，优势互补、资源共享、推动多层次多环节的合作，推进IGBT核心技术市场化的进程。IGBT广阔的应用领域和巨大需求市场给我们企业转型升级，创新发展带来发展空间，紧紧抓住这一重大历史机遇，开拓创新，刻苦专研，携手并进，共同为贯彻国务院《中国制造2025》的精神，积极落实制造强国战略第一个十年的行动计划，把制造大国建设成为制造强国，智造强国，发挥积极作用。 整个会议讨论气氛热烈，取得了非常圆满的效果。 撰稿：技术服务部 |
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