| “氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术”获2015年度国家科技奖 | ||
| 2016年1月8日上午，在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽出席大会并为获奖代表颁奖。李克强代表党中央、国务院在大会上讲话。 2015年度国家科学技术奖评选中，郝跃教授所率领的研究团队获得了国家科学技术进步奖二等奖。 郝跃教授牵头完成的氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术，提出创新的表面增强脉冲反应生长方法、脉冲超晶格p型掺杂方法和纳米微腔器件结构，解决了材料生长、掺杂和紫外光提取效率等重大难题，获得中国和美国发明专利授权 22 项，在信息产业、装备制造、国家安全、医疗健康等领域具有广泛应用前景。 据悉，2015年度国家科学技术奖励共授奖295项成果。国家自然科学奖42项，其中一等奖1项、二等奖41项；国家技术发明奖66项，其中一等奖1项、二等奖65项；国家科学技术进步奖187项，其中特等奖3项、一等奖17项、二等奖167项。 来源：西安电子科技大学 |
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