快闪存储器(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案大厂群联电子董事长潘健成19日表示，“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D，从相关控制芯片设计业者的角度来看，这产业已经高高筑起了进入障碍。

潘健成表示，NAND Flash正式进入3D制程发展，其相关控制芯片之晶圆制造制程则在近两年正式进入1x纳米时代，因此NAND Flash控制芯片的设计愈加复杂、所需要运用的人力资源耗费远远高于过去，以群联所开发出来的SSD控制芯片PS5012-E12来看，该颗芯片在研发人力、时间、设计工具、晶圆先进制程光罩费、3D NAND验证费…等等资源全数换算为可被评价的费用，总计超过1.55亿人民币，相较18年前群联初创业时的环境所需投入成本的多了好几倍。

当今快闪存储器的现况，对控制芯片设计业者而言，除了上述的军备战的竞争形成技术进入障碍，另一方面，NAND Flash制造之国际原厂相继提高自给设计的控制芯片案量，因此整体市场独立芯片厂的控制芯片的市场规模的成长幅度是低于储存容量需求的成长率，所以，控制芯片取得的获利也变薄、这对刚刚要跨入快闪存储器IC设计这一行业者而言，是进入门槛被垫高，简而言之，潘健成强调，今天若只卖IC，这生意不好做，要赚钱变得更困难。

对于群联而言，有监于5G、物联网、车联网，以及人工智能等多项创新科技的信息储存需求只增不减，人类使用存储器容量的提升仍会为产业带来商机，加计群联过去以来的商业模式不是只卖IC，因此未来将擅用这多年来的产业经验值、逾1,700件的自有IP专利、逾千名的研发人员、专注经营快闪存储器应用所掌握的市场弹性、一年逾13亿美元的营收，以及年平均出货6亿颗IC等规模经济之6大实力，并加以积极寻找长期合作的策略性伙伴，共同扩大发展快闪存储器应用市场之伙伴们扩大市场及技术发展。