4月16日消息，据国外媒体报道，半导体技术公司三星电子今天宣布，其5纳米FinFET工艺技术已经开发完成，现在已经准备好向客户提供样品。

通过在其基于极紫外（EUV）的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星再次证明了其在先进制造市场的地位。

2018年10月，三星宣布7纳米制程工艺芯片准备就绪，并开始投入生产，这是三星第一个采用EUV光刻技术的产品。

该公司提供了业界第一个基于EUV的新产品的商业样品，并在今年年初开始大规模生产7纳米工艺。 此外，三星还在与客户合作开发6纳米芯片。

与7纳米相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提高。由于工艺改进，功耗降低了20%、性能提高了10%，这使得三星能够拥有更具创新性的标准单元架构。

5纳米的另一个关键优点是，可以将7纳米的所有相关知识产权重用到5纳米工艺上。因此，7纳米客户向5纳米过渡将得以大幅降低迁移成本，拥有预先经过验证的设计生态系统，从而缩短其5纳米产品的开发周期。

由于三星铸造公司与其“三星高级铸造生态系统”（Samsung Advanced Foundry Ecosystem，简称SAFE）合作伙伴的密切合作，自2018年第四季度以来，三星的5纳米产品就拥有了强大的设计基础设施，包括工艺设计工具、设计方法（DM）、电子设计自动化（EDA）工具和IP。

此外，三星铸造公司已经开始为客户提供5纳米多项目晶圆（MPW）服务。