2020年8月17日，北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京市大兴区黄村镇大兴新城东南工业区隆重举行。

北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建致欢迎辞，对关心支持项目的各级领导、各界朋友、协作单位表达衷心感谢，杨总表示，天科合达公司将不忘初心，牢记使命，积极进取，致力于打造全球第三代半导体碳化硅衬底材料龙头企业，为我国第三代半导体碳化硅产业发展提供有力支撑。

中国科学院物理研究所党委书记文亚在致辞中指出，目前第三代半导体行业正处于蓬勃发展的阶段，近两年国家对第三代半导体产业高度重视，天科合达公司作为国内领先的碳化硅晶片生产企业和全球主要碳化硅晶片生产企业之一，此次基地建设项目在大兴区黄村镇顺利开工建设，对于促进我国碳化硅半导体产业延伸，引领第三代半导体产业发展具有重要的示范意义。

北京市经信局电子信息产业处处长王德表示，化合物半导体材料是集成电路的基石，在现今最火热的5G通讯、新能源汽车等市场中具有明确而可观的前景，第三代半导体产业生态延伸是国民经济重要的发展方向，经信局之后也将会在产业政策、项目资金等方面对第三代半导体产业大力支持，优化营商环境，同时祝愿天科合达越做越强，蓬勃发展。

北京新材料和新能源科技发展中心副主任蔡永香向基地建设开工表示热烈祝贺，基地建设开工意味着天科合达将迈入一个新的里程碑，标志着北京市SiC衬底材料和器件的产业进程将进一步加速发展，北科委双新中心也将会整合更多的资源和力量，持续不断地推进北京市第三代半导体技术和产业的发展。

北京市大兴区黄村镇镇长唐胜明介绍了黄村镇营造良好营商环境的相关举措，希望为入驻企业做好服务，提供平台，实现互利共赢，并祝愿天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目建设顺利。

第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目，总投资约9.5亿元人民币，总建筑面积5.5万平方米，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于2022年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。

北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化项目在大兴区黄村镇开工建设，标志着我国半导体碳化硅衬底产业化的进程又翻开了崭新的一页，必将对我国第三代半导体碳化硅产业的发展产生重大而深远的影响。