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西安三星高端存储芯片二期第二阶段项目明年年中建成投产



据陕西日报全媒体消息,目前,总投资80亿美元的三星高端存储芯片二期第二阶段项目正在稳步推进,预计2021年年中建成投产。


据报道,三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基说,三星(中国)半导体有限公司生产的主要产品为3D V-Nand 闪存芯片。三星项目的启动,带动100多个相关配套企业进驻西安高新区,西安高新区形成了规模过千亿元的半导体产业集群,并将进一步跃升为世界具有竞争力的电子信息产业基地。


三星(中国)半导体有限公司成立于2012年,公司位于西安高新综合保税区。落地西安以后,三星电子先期投资105亿美元建成三星(中国)半导体有限公司高端闪存芯片项目一期及封装测试中心。项目一期于2014年5月竣工投产,截至目前运行顺利。


2017年8月30日,三星电子株式会社与陕西省政府签署了投资合作协议,决定在西安高新综合保税区内建设三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目。


三星高端存储芯片二期第一阶段项目投资约70亿美元,今年3月10日举行二期第一阶段项目产品下线上市仪式。二期第二阶段项目投资80亿美元,于2019年12月10日正式启动。


 来源: 爱集微


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