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比亚迪半导体西安研发中心启用,同期发布IGBT6.0芯片


5月16日,从比亚迪半导体处获悉,比亚迪半导体西安研发中心即将启用,与此同时,比亚迪半导体打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片,并计划于西安研发中心全新发布。


据悉,比亚迪半导体在全国拥有五大研发及生产制造基地,分别是深圳、惠州、宁波、长沙、西安。位于西安的半导体研发中心,将配备近千人的研发团队,是比亚迪半导体精心布局的全新研发基地,承担着开启新一轮半导体创新与研发攻坚战的使命。


比亚迪半导体将充分利用西安在集成电路方面的人才资源、供应链资源及客户资源,主要从事功率半导体、智能传感器、智能控制IC等半导体产品的设计及服务,进一步提升公司产品研发和技术实力。


据了解,自2002年进入半导体领域以来,比亚迪半导体在2009年便推出国内首款自主研发的 IGBT 芯片,2018年推出 IGBT4.0 芯片并树立国内中高端车用IGBT新标杆。截止2020年底,以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆,单车行驶里程超过100万公里。


IGBT4.0芯片通过精细化平面栅设计,使得同等工况下,综合损耗较市场主流产品降低了约20%,整车电耗显著降低。


历时两年积累,比亚迪半导体打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片,并计划于比亚迪半导体西安研发中心全新发布。比亚迪半导体称,IGBT6.0芯片采用新一代自主研发的高密度沟槽栅技术,相较同类产品在可靠性及产品性能上将实现重大突破,达到国际领先行列。


来源:爱集



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