5月3日，韩国政府产业通商资源部和国防部确定了为培育国防产业原材料、零部件、装备企业而进行的“X-band 氮化镓（GaN）半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业RFHIC（艾尔福）被选定为课题牵头企业。

　　X-band “氮化镓”半导体超高频率集成电路(MMIC)是安装在韩国战斗机(KF-X)上的雷达核心配件。

　　此次课题由RFHIC（艾尔福）牵头负责执行。SK Siltron将参与碳化硅基板、氮化镓树脂(EPI)的制作，LIG nex1负责系统的验证。韩国电子通信研究院(ETRI)的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。

　　除X-band外，课题还将扩大到Ku-band、Ka-band等,该技术也适用于扩展到28千兆(GHz)的5G通信设备及卫星通信。

　　早前的4月1日，韩国政府曾召开会议，发表了“下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案”。其宣布将正式培育下一代功率半导体技术，到2025年开发5种以上的商业化产品，并在国内建设6~8英寸代工厂。

　　目前为止，从SiC到系统构筑氮化镓供应链的国家只有美国和中国，其中成功实现商品化的国家只有美国。