据韩国中央日报日语版 7/13（周二）报道，“SK海力士”开始利用极紫外（EUV）光刻机生产第4代DRAM。继“内存三巨头”排名第三的“镁光”之后，“SK海力士”成了第二家量产第4代DRAM的厂家。

“三星电子”也公布了在年内量产第四代DRAM的计划。排名第2，3位的厂家比老大先在下一代DRAM量产上领先，之后“内存三巨头”的技术竞争将会更加激烈。

“SK海力士”于本月12日宣布，应用10纳米工艺的第4代8GB LPDDR4移动用DRAM量产已经于本月初开始。LPDDR4是主要用于智能手机的低功率DRAM芯片。该公司的相关人员表示，“SK海力士首次通过EUV工艺来实现DRAM量产，这是非常有意义的一件事情”。

根据“SK海力士”的说法，比起前一代规格的产品，第四代在一片晶圆上产出的DRAM数量增加了约25%。成本竞争力很高。“SK海力士”继这次LPDDR4产品之后，计划从明年年初开始将该技术应用于去年10月在世界上首次发售的下一代DRAM DDR5上面。

10纳米级DRAM是今年1月，由“镁光”首次出货的，这给市场带来了不小的震动。不过，“镁光”将使用现有的氟化氩（ArF）工艺而不是EUV来生产该产品。与EUV工艺相比，现有的Arf工艺对于器件的高效率、以及超小型化会产生不利的影响。

被第2,3位的厂家赶超，明显伤害了老大“三星电子”的自尊心。“三星电子”在今年1月末发表业绩时明确表示：“今年内将使用EUV工艺来量产第4代DRAM产品”。

“三星电子”相关人士表示，“三星电子已经在去年3月首次在业界使用EUV工艺生产了第一代10纳米级DDR。今年内，将生产第4代10纳米级DRAM。”

据业界相关人士的话，“早前，当“镁光”发表第四代DRAM的量产消息时，曾有过以为是假新闻的讨论，但后来，实际的量产确实已经得到确认。这就意味着在内存厂商之间，纳米工艺和量产的技术差距正在被缩小”。