近期，西安紫光国芯总裁任奇伟受邀参加“2021 IEEE 13th International Memory Workshop（IMW 2021，国际存储器研讨会） ”的线上会议，并作题为《3D Integration Technology for Embedded DRAM》的专题报告分享。
通过对存储系统的市场需求以及未来发展的深入剖析，任总阐释了当前热门的3D集成技术在嵌入式存储器领域的广泛应用，并向与会嘉宾重点介绍了公司最新研发世界领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案——异质嵌入式DRAM（SeDRAM）。
相比传统的嵌入式SRAM和DRAM存储器(eSRAM和eDRAM)，SeDRAM采用纳米级互连技术将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现对存储器的直接访问；通过定制的DRAM设计支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同的工艺提供标准化接口和测试IP，使SoC能够方便简单地集成。
SeDRAM技术与传统集成技术优势对比
SeDRAM可实现超大带宽、超低功耗、超大容量的嵌入式DRAM，在超算、大数据分析、人工智能、智能物联网等应用领域具有广阔应用前景。同时，基于SeDRAM技术西安紫光国芯已成功开发多款产品，并成功实现世界首款大规模量产芯片。
相关技术论文已在2020 IEDM（IEEE InternationalElectron Device Meeting）和2021 CICC（IEEE CustomIntegrated Circuits Conference）上公开发表。
