由SEMI中国和芜湖市人民政府主办的“SEMI 化合物半导体制造技术论坛”于2021年9月23日在芜湖华邑酒店举行。
与硅材料相比，以InP、GaAs、SiC、GaN等代表的化合物半导体具有更宽的禁带，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景。在光电显示、5G通讯、功率器件、新能源、现代交通领域发挥着越来越重要的作用。
SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙在欢迎辞中表示，SEMI 是沟通半导体电子产业链的全球性行业协会，在过去的五十年中，SEMI维系全球会员，合作共赢，一直致力于国际标准的制定，成功搭建了半导体、平板显示器、LED、光伏、MEMS、纳米科技等产业国际交流合作创新的专业化平台。
SEMI中国于2016年成立功率及化合物半导体产业平台，联接宽禁带半导体、5G通讯、光电显示、新型功率器件，化合物半导体产业链上下游国际企业共同参与，多年来举办功率及化合物半导体国际论坛。
芜湖市委副书记、市长宁波在欢迎辞中表示，芜湖市与SEMI中国的合作必将迸发出创新的火花，推动产业重点突破和整体提升，共同打造半导体产业转移集聚区、技术创新示范区和高层次人才特区，在长三角创新共同体建设中作出更大贡献。
芜湖市委书记单向前、市长宁波、市委秘书长张志宏等领导莅临参加本次论坛，并对SEMI半导体国际合作创新平台芜湖的揭牌开启了SEMI和芜湖携手共进、深度合作的新里程，表示衷心的祝贺。
会议上午场由芜湖启迪半导体有限公司董事长赵清先生主持，会议下午场由常州臻晶半导体有限公司CEO陆敏先生主持。来自芜湖启迪半导体、中微半导体、苏州能讯、昂坤视觉、瞻芯电子、特思迪半导体、苏州晶湛、珠海鼎泰芯源、南瑞联研半导体、化合积电、老鹰半导体的专家参加本次论坛并做报告分享，产业界近300名嘉宾出席了本次会议。
启迪半导体 董事长 赵清
芜湖启迪半导体有限公司董事长赵清就《芜湖第三代半导体制造中心介绍及发展规划》进行了探讨。赵清提到以第三代半导体性能优良，广泛应用于新能源汽车、射频、工控等领域为建设背景，国际大厂纷纷对此进行布局。启迪半导体专注于以SiC和GaN为代表的第三代半导体的工艺研发和产品代工，是目前国内工序最全、综合产能最大、代工周期最短的第三代半导体代工产线。
启迪半导体 首席科学家 王敬
芜湖启迪半导体有限公司首席科学家王敬介绍《启迪半导体碳化硅和氮化镓工艺技术》。与传统半导体材料相比，碳化硅（SiC）在高温、高频、高功率和抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。芜湖第三代半导体工程中心将具备从材料、芯片到模块封装与测试的整体化解决能力，成为芜湖市第三代半导体科技创新和研发制造高地。
中微半导体 副总裁 郭世平
中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁郭世平向大家阐述《化合物半导体MOCVD设备技术及应用发展》。中微半导体主要业务MOCVD设备业务已经迎来爆发，设备在帮助LED芯片制造商提高产能的同时能够有效地降低生产成本。产品可有效进行质量控制以及提高成本效益。未来中微也将需要进一步开发新技术来实现更好的均匀性。
苏州能讯 技术副总 裁裴轶
苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁裴轶介绍了《5G通讯时代的氮化镓器件》。苏州能讯致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
昂坤视觉 CEO 马铁中
昂坤视觉（北京）科技有限公司CEO马铁中详细探讨了《化合物半导体用国产光学检测设备的一些进展》。他介绍研发的产品涵盖了LED生产工艺测量和检测的各个环节。EPI AOI检测设备采用了公司自主设计的光学镜头和系统，配备了自动聚焦功能，可以实现对于翘曲偏缺陷的精准检测。
瞻芯电子 总经理 张永熙
上海瞻芯电子科技有限公司总经理张永熙详细探讨了《6英寸1200V SiC MOSFET工艺平台的测试认证》。上海瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，经历深度开发，瞻芯电子掌握了国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆，用于新能源车、光伏发电等新能源产业。
北京特思迪 CEO 刘泳沣
北京特思迪半导体设备有限公司CEO刘泳沣介绍《抛光技术在化合物半导体制造的应用》。特思迪专注于半导体领域高质量表面加工设备的研发、生产和销售。他表示所有的半导体衬底材料都需要经过抛光，根据不同材料的特性，以及产业化的不同阶段，需要选择合适的抛光工艺和设备。
苏州晶湛 陈宇超
苏州晶湛半导体有限公司陈宇超详细探讨了《用于新型GaN功率器件的外延技术进展》。GaN功率器件在诸多领域越来越受到欢迎，如消费电子、工业电子和数据中心以及能源、汽车和移动等领域。晶湛半导体致力于宽禁带半导体关键材料——氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化，是硅上氮化镓外延技术的开拓者。
鼎泰芯源 首席科学家兼总工程师 赵有文
珠海鼎泰芯源晶体有限公司首席科学家兼总工程师赵有文介绍了关于《磷化铟和锑化镓衬底的量产技术、市场及发展趋势》。GaSb衬底表面加工技术取得显著进展，表面质量和平整度已接近GaAs和InP单晶衬底的水平，基本满足红外器件外延材料生长及器件面阵的要求。国内中科院半导体所已实现2-4英寸GaSb单晶衬底的批量生产。
中电科46所 首席专家 王英明
中国电子科技集团公司第四十六研究所首席专家王英民就《碳化硅单晶材料研究进展》进行探讨。他表示就工作频率和开关功率来讲，GaN功率器件在高频中低功率范围有竞争力。未来需要加快技术水平以及生产管理水平的提升，突破高效生长及高成品率产业化技术，快速降低材料成本，将会强有力的推动碳化硅应用的快速发展。
南瑞联研 SiC技术总监 田亮
南瑞联研半导体有限责任公司SiC技术总监田亮介绍了《碳化硅功率器件在电网中的应用》。随着新能源电网建设期到来，电力电子产业将迎来发展，碳化硅功率器件应用前景可期。SiC二极管近一年会在光伏boost和充电桩整流侧大面积应用，未来两年SiC MOS也会在充电桩里大规模应用。
化合积电 CEO 张星
化合积电（厦门）半导体材料有限公司CEO张星分享《超宽禁带晶圆级和热沉级金刚石衬底材料》。她在视频演讲中表示金刚石与氮化镓GaN、氮化铝AlN等第三代半导体材料相结合的研究具有很大的应用价值。化合积电致力于热沉级金刚石研发和生产，不仅攻克了生长工艺中“高速率、低变形、高热导率、大尺寸”等难点，更在磨抛工艺、切割工艺和金属化工艺中都取得了较大突破。
老鹰半导体 首席科学家 莫庆伟
浙江老鹰半导体技术有限公司首席科学家莫庆伟视频分享《VCSEL技术进展及其在智能感测和车用激光雷达中的应用》。他从VCSEL的发展历程、技术优势、应用趋势展开讨论。老鹰半导体从基础性建设及研发起步，以技术为先导，致力于芯片的研发、生产及销售业务，老鹰半导体产品覆盖了3D感测、传统、处理和显示的化合物半导体解决方案的提供商。
