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三星扩产发大招,或将在P3厂增设176层NAND产线

来源:全球闪存市场    2021-10-11
据韩国媒体《BusinessKorea》报道,半导体大厂三星正加紧准备2022年开始对其位于平泽的新半导体工厂进行大规模投资。

据韩国媒体《BusinessKorea》报道,半导体大厂三星正加紧准备2022年开始对其位于平泽的新半导体工厂进行大规模投资。

报道指出,三星计划先在建设中的平泽3号工厂(P3) 建立NAND Flash生产线,然后再建立DRAM生产线和3纳米制程代工产线。目前,三星正与国内外材料、零组件、设备合作伙伴洽谈。

P3工厂扩建后,三星将增设一条第七代176层NAND Flash生产线,每月生产40K~50K的12英寸晶圆,预计2022年4月左右开始引进设备。

市场分析师表示,先安装NAND Flash生产线的原因,是为了扩大与追随者的技术差距,因为NAND Flash市场竞争加剧,据市场人士说法,西部数据可能收购日本存储器大厂铠侠,美光科技也量产176层堆叠NAND Flash,在此情况下,NAND Flash市场的竞争正逐渐升温。

此外,三星还制定了2022年下半年建设DRAM和3纳米代工产线计划。市场人士预计,为响应DDR5 DRAM时代的到来,三星将打造14纳米制程EUV DRAM生产线。业内人士进一步补充,三星计划建立3纳米制程代工产线,未来每月可量产10K~20K的12英寸晶圆。

三星电子预计,2022年将在华城和P3工厂所在的平泽工厂导入先进生产技术。据三星计划,投资DRAM和晶圆代工产线后,其在韩国的半导体产能将增加至每月150K晶圆。


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