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华虹宏力功率器件工艺获上海市科技进步一等奖

来源:华虹宏力    2021-12-02
2020年度上海市科学技术奖励大会于2021年12月1日举行,华虹集团旗下华虹宏力“绝缘栅双极型晶体管工艺技术开发”项目荣获上海市科技进步一等奖。

2020年度上海市科学技术奖励大会于2021年12月1日举行,华虹集团旗下华虹宏力“绝缘栅双极型晶体管工艺技术开发”项目荣获上海市科技进步一等奖。
华虹宏力是全球首家同时在8英寸与12英寸生产线量产功率MOSFET、深沟槽超级结、场截止型IGBT的纯晶圆代工企业,拥有丰富的功率器件稳定量产经验。面向包括汽车电子在内的绿色环保IGBT应用市场,华虹宏力依托领先成熟的沟槽MOS工艺,成功开发特有的场截止型IGBT工艺,建成国内拥有全套正、背面工艺的技术平台。该获奖技术主要应用于白色家电、工业变频、焊机、汽车电子等产品。


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