12月2日，晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式在苏州纳米城举行。

园区党工委副书记、管委会主任林小明，园区党工委委员、管委会副主任倪乾出席活动。

公司致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，是园区自主培育、国内首屈一指的第三代半导体氮化镓外延材料领军企业。

自2012年成立后，公司于2014年便率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片。十多年来，公司坚持加大研发投入、持续推动技术创新，目前已与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所建立紧密合作关系，荣获各级组织奖励数十项，多次在行业顶级期刊Nature、国际顶级会议IEDM上发布创新成果，申请专利近400项，授权近百项。今年9月，晶湛全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，其核心技术填补了国内空白，赢得了业内广泛关注。

据悉，项目位于纳米城E地块，百川街西，南荡田巷北，厂房占地面积10999.92平方米，总建筑面积23443.27平方米。建成后，将成为国内规模最大的GaN电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。

2006年园区就抢抓机遇 前瞻布局第三代半导体产业

经“十年磨一剑”精耕细作，园区引进了中科院苏州纳米所等一批“国字号”科研院所，集聚了全国80%的氮化镓国家级重点人才，参与了全国60%的氮化镓国家标准制定，突破了一系列“卡脖子”技术，已成为国内最具影响力的第三代半导体技术和产业高地。

今年3月，园区获批建设国家第三代半导体技术创新中心，为进一步聚力创新、推进第三代半导体产业高质量发展增添了强大动力。