捷捷微电3月10日在投资者互动平台表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至2022年2月底，公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件，此外，公司还有6个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段，后续进展情况请关注公司公告。

关于公司的利润增长点和汽车电子芯片销售占比，捷捷微电表示，公司南通“高端功率半导体器件产业化项目”配套无锡和上海MOSFET团队，计划2022年二季度末或第三季度开始试生产，该项目将有助于推动高端功率半导体发展，满足下游市场需求，扩大市场占有率，缓解MOSFET产能紧张的问题。

关于公司的经营模式，捷捷微电指出，目前，公司的晶闸管系列产品、二极管及防护系列等产品采用垂直整合（IDM）一体化的经营模式，即集功率半导体芯片设计、制造、器件设计、封装、测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体；公司的MOSFET系列产品采用Fabless+封测的业务模式。公司MOSFET芯片是由无锡和上海团队设计，委外流片，其中芯片（8英寸为主，6英寸及12英寸用量不是太多）全部委外流片，封测方面目前委外代工为主、自封为辅。

来源:爱集微