3月15日，日本丰田合成宣布与日本大阪大学（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件的低成本化。

据介绍，为制造超过6英寸的GaN 衬底，丰田合成与大阪大学采用了钠助熔剂法（Sodium Flux Method），该方法是在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体。基于此，丰田合成开发出全球最大、超过6英寸的高质量GaN晶体。

接下来，丰田合成与大阪大学将对 6 英寸衬底的批量生产进行质量评估，并继续提高晶体质量、加大尺寸。

目前，丰田合成正在利用其在 GaN 半导体（蓝光 LED 和 UV-C LED）方面的专业知识来开发下一代功率器件。

丰田合成表示，功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域的功率控制。

随着社会朝着碳中和的方向发展，下一代功率器件因能够帮助减少可再生能源设备和电动汽车这些大型电力设备的功率损失，未来应用将广泛落地，而GaN 功率器件是有助于减少功率损失的方法之一，且开发下一代功率器件需要更高质量和更大尺寸的 GaN 衬底，以实现更高的生产效率和降低生产成本。