在科友半导体产学研聚集区一期工程投产前夕，科友半导体实验线传出好消息，以科友半导体自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，业内领先。

科友半导体成立于2018年，主要攻关第三代半导体材料和装备。公司在相继突破4英寸和6英寸SiC衬底和装备技术的基础上，不断向产业化方向迈进，目前已形成从材料到衬底和装备的自主知识产权体系，具备规模化生产条件。

科友半导体从成立伊始就致力于半导体技术和产业的自主创新。目前，公司自主研发的SiC长晶炉（感应）已有99%的部件实现国产替代。

研发进程
2022年2月,6英寸碳化硅晶体厚度突破20mm
2022年4月,6英寸碳化硅晶体厚度突破28mm
2022年6月,6英寸碳化硅晶体厚度突破32mm