8月22日，盛美半导体设备（上海）股份有限公司的电化学电镀（ECP）设备系列第500个电镀腔出机，顺利交付客户。这是盛美发展史上的一个非常重要的里程碑，标志着盛美上海向新征程迈出关键一步。

王坚总经理在庆祝仪式上发表致辞，他表示随着IC电路技术节点缩小和先进封装集成度提高，电镀技术被广泛采用，包括铜、钴、镍、锡银、金等金属电镀应用。目前全球超90%的电镀设备市场被国际大公司占据。盛美自1998年成立之初就聚焦铜互连技术，同时布局专利成果，是世界上最早进入水平电镀领域并自主掌握电镀核心技术的三家公司之一。盛美独创的结构设计与电镀技术不仅拥有全球专利保护，且能够充分达到客户产品规格需求并具备成本优势。

“在科技部02重大专项支持下，经过产学研合作研发，以及客户端量产验证。如今，盛美公司的电镀技术已在前道双大马士革和先进封装、3D TSV 以及第三代半导体应用领域分别实现了质的飞跃。无论是多圆环阳极技术，以及第二阳极技术，还是高速电镀技术，都在客户端产线表现出相比竞争对手更优异的性能。目前，我们的产品订单已经达到67台，销售总额超过12亿，截至今日已累计出机电镀腔500个腔体。”

据王坚总经理介绍，盛美上海的电镀技术已通过了半导体大厂的生产线工艺评估，应用于55nm至28nm、TSV、高密度扇出封装、常规Pillar、RDL产品生产线，均得到了客户的高度评价。截止至2021年12月，盛美电镀设备销售额占全球集成电路电镀市场4%。此外，2022年公司前道铜互连电镀设备和华力微电子联合申报，获得中国集成电路创新联盟主办的“集成电路产业技术创新奖”的成果产业化奖。

ECP 设备介绍

1.Ultra ECP map前道铜互连电镀设备

建立在公司成熟的电化学电镀（ECP）技术基础之上，专为双大马士革应用而设计，可提高产能和可靠性。ECP电镀系统配置了盛美上海独有的多阳极局部电镀功能，让客户可对大马士革结构上的金属铜沉积层进行有效控制。该设备的关键工艺优点包括优异的图形结构填充能力、良好的片内及片间金属膜厚均匀性，能够兼容5nm以下的超薄籽晶层，满足最先进技术节点的大马士革电镀的需求，同时降低耗材及拥有成本，确保高产能和正常运行时间。

2.Ultra ECP ap电镀设备

该设备可执行许多关键的WLP电镀工艺，包括铜凸块和高密度扇出（HDFO）工艺。该系统借助专门设计的工艺腔及流体供给系统，可保持强大稳定的流量输出，实现快速均匀的电镀。单晶圆水平式电镀设计也排除了垂直式电镀设计存在的不同镀液槽之间的交叉污染问题。该设备在铜、镍、锡、银和金电镀过程中拥有出色表现。

3.Ultra ECP 3D电镀设备

该设备可应用于填充3D硅通孔（TSV），借助盛美半导体电镀设备的平台，可为高深宽比（H.A.R）TSV铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。在高深宽比硅通孔由下而上的填充过程中，铜电解液浸入电镀液的时候，必须完全填充通孔，不能滞留任何气泡。为了加速这一过程，我们采用了一体化预湿步骤。这种先进的技术解决方案可以在制造工艺中保证更高的效益、电镀效率和产能。

4.Ultra ECP GIII电镀设备

该设备可支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装，进行铜、镍、锡银、金电镀。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。Ultra ECP GIII还配备了全自动平台，支持6英寸/8英寸平边和V型槽晶圆的批量工艺，同时结合了盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现最佳性能。

盛美上海作为清洗设备供应商，多维度布局半导体设备领域，在半导体清洗设备、前道半导体电镀设备和先进封装湿法设备（包含后道电镀设备）的营业收入均有较大增长。半导体设备市场规模仍在扩大，盛美上海还将乘上半导体设备产业化的东风，坚持技术差异化、产品平台化、客户全球化的核心理念，尊重同行IP及保护自己IP，面向全球半导体芯片生产线，推动上海研发、上海原始创新、上海制造走向世界！