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格芯获得3000万美元政府基金研发GaN芯片

来源:汽车电子应用网  
格芯获得3000万美元政府基金,在其佛蒙特州工厂研发GaN芯片。

10月18日消息,据报道,格芯获得3000万美元(约2.16亿元人民币)政府基金,在其佛蒙特州工厂研发GaN芯片。

据该公司称,这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称,电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。


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