杭州士兰微电子股份有限公司发布公告称，近期，士兰明镓 SiC 功率器件生产线已实现初步通线，首个 SiC 器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产 2000 片6 英寸 SiC 芯片的生产能力。

公司目前已完成第一代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将 SiC-MOSFET 芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。