三星宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的 1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第 8 代 V-NAND。1Tb 的全新 V-NAND 在目前三星 V-NAND 中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

三星采用 3D 缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新 NAND 闪存标准 Toggle DDR 5.0 接口的三星第 8 代 V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达 2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了 1.2 倍，这可以满足 PCIe 4.0 和更高版本 PCIe 5.0 的性能要求。

来源：全球 TMT