据报道，3月14日，三菱电机宣布增产SiC功率半导体，计划在截至2026年3月的五年时间内，将此前宣布的原投资翻一番，达到约2600亿日元（约133.36亿元人民币）。同时该由于增产投资计划，三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平。

其中，三菱电机将增投的1,000亿日元（约51.3亿元人民币），用于在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房，并导入8吋SiC晶圆产线，预计2026年4月启用生产。此外，三菱电机将扩增其位于该县合志市工厂的6吋晶圆产能。据悉，此举是基于应对EV对SiC功率半导体快速增长的需求而作出的战略应对。

据了解，三菱电机上述位于熊本县的两座工厂均专注于前端制程，三菱电机计划投资约100亿日元（约5亿元人民币）在位于福冈市的Power Device Manufacturer内兴建新厂房，该厂房将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检测，以补足其在当地后端制程的空缺。