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三菱电机斥资51.3亿新建8英寸SiC晶圆厂

来源:大半导体产业网    
三菱电机宣布增产SiC功率半导体,将增投51.3亿元投建新工厂并导入8吋SiC晶圆产线。

据报道,3月14日,三菱电机宣布增产SiC功率半导体,计划在截至2026年3月的五年时间内,将此前宣布的原投资翻一番,达到约2600亿日元(约133.36亿元人民币)。同时该由于增产投资计划,三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平。

其中,三菱电机将增投的1,000亿日元(约51.3亿元人民币),用于在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房,并导入8吋SiC晶圆产线,预计2026年4月启用生产。此外,三菱电机将扩增其位于该县合志市工厂的6吋晶圆产能。据悉,此举是基于应对EV对SiC功率半导体快速增长的需求而作出的战略应对。

据了解,三菱电机上述位于熊本县的两座工厂均专注于前端制程,三菱电机计划投资约100亿日元(约5亿元人民币)在位于福冈市的Power Device Manufacturer内兴建新厂房,该厂房将整合目前分散在福冈地区的现有业务,用于功率半导体的组装和检测,以补足其在当地后端制程的空缺。


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