2023年3月，成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目（下称“芯未项目”）工艺配套设施安装工程正式招标成功，标志着该项目进入内部装修阶段。目前“芯未项目”施工进展顺利，预计今年6月实现项目完工。

芯未项目外立面实拍图

“芯未项目”是成都高新区围绕集成电路细分领域引进的强链补链项目，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率半导体芯片及产品的特色工艺的研发和生产制造，是我国功率半导体领域的重要创新力量。其产品广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空航天、消费电子等领域。项目总投资约10亿元，一期项目建成后，将形成年产120万只功率半导体模块的生产制造能力，实现年营收5亿元。

芯未项目效果图

随着本次芯未项目的工艺配套设施安装工程招标成功，项目正式进入内部装修阶段，继项目5个工作日拿下“四证”正式开工、150多天完成封顶后，芯未项目再次展现了“高芯速度”。芯未项目相关工作人员介绍：“在此次工艺配套设施安装工程招标完成后，项目即刻启动了机电安装工程。‘芯未项目’将继续保持高效推进，在今年6月完成包括洁净厂房在内的所有装修工作，达到设备搬入的条件。”

芯未项目内部一层实拍

通过此项目的建设，芯未半导体将进一步丰富完善基于自主创新技术的生产工艺平台，整体技术水平进入行业前列，推动超薄IGBT特色背面晶圆工艺和高端集成封装技术的量产应用与产业化推广，助力成都电子信息产业建圈强链。