| 我中心代表参加2012 TSMC中国技术研讨会 | ||
| 2012年5月31日，我中心技术服务部工作人员赴深圳参加了台湾积体电路制造股份有限公司举办的2012 TSMC中国技术研讨会，此次技术研讨会有近千位客户及合作厂商代表参加。 台积公司在半导体产业中首创专业集成电路制造服务模式。为全球六百多个客户提供服务，生产超过一万一千多种的芯片，被广泛地运用在计算机产品、通讯产品与消费类电子产品等多样应用领域；2011年，台积公司所拥有及管理的产能达到1,322万片八寸约当晶圆。台积公司在台湾设有三座先进的十二寸超大型晶圆厂 (Fab 12,14 & 15)、四座八寸晶圆厂 (Fab 3, 5, 6 & 8) 和一座六寸晶圆厂 (Fab 2)，并拥有二家海外子公司 WaferTech 美国子公司、TSMC中国有限公司及其它转投资公司之八寸晶圆厂产能支持。台积公司2011年全年营收为145亿美元，再次缔造新高纪录。 在全球半导体市场平稳增长的趋势下，中国是发展中国家的领头羊，中国的芯片设计业远高于世界水平，并出现了一些世界级企业，如华为、海思、展讯等，因此在中国开展研讨会的意义非常重大。 在本次研讨会上，台积电发布了2012年取得的最新成绩。28纳米工艺已进入量产阶段。成为专业集成电路服务领域率先量产28纳米芯片的公司。TSMC先进的28纳米工艺包括28纳米高效能工艺(28HP)、28纳米低耗电工艺(28LP)、 28纳米高效能低耗电工艺(28HPL)、以及28纳米高效能行动运算工艺(28HPM)。其中，28HP、28LP与28HPL工艺皆已进入量产，符合客户对良率的要求；而28HPM工艺亦将于今年年底前准备就绪进入量产，TSMC已将此高效能行动运算工艺的生产版本设计套件提供给大多数的便携式计算机客户协助进行产品设计。 另外，台积电将于今年年底正式开发20nm工艺，使之进入小批量量产阶段。同时，20纳米提供两种工艺，分别为高性能工艺与低功耗工艺。这两种工艺都采用high-k金属栅极(HKMG)技术，预计今年可以投产。光刻工艺方面，台积电20nm制程将继续沿用193nm沉浸式光刻技术，不过会起用双重掩膜技术(double-patterning)和SMO技术(source-mask optimization)以增强现有的193nm沉浸式光刻技术。 同时，推出芯片-晶圆-基底 (CoWoS)集成工艺，CoWoS是一种集成工艺技术，通过芯片-晶圆 (CoW)绑定工艺，将器件硅片芯片集成到晶圆片上。CoW芯片与基底直接连接(CoW-On-Substrate)，形成最终的元器件。通过将器件硅片集成到初始的厚晶圆硅片上再完成制程工艺，可以避免因为加工而引发的翘变问题。TSMC的集成CoWoS工艺为半导体公司提供开发3D IC和端到端解决方案，包括前端制造工艺以及后端装配和测试解决方案。 作为台积电在大陆西部地区Value Chain Aggregator，芯片共乘(cybershuttle)与流片试产(tape out)服务的代理商，我中心也积极参加了本次盛会，并与台积电相关负责人交流了客户服务经验和新的服务内容和方式的构想，双方都表示要加强双方的沟通与合作，为国内企业提供更为全面的芯片试制服务；同时我中心参会人员还与参会的众多设计公司交换意见，虚心听取客户建议，为进一步做好芯片试制服务工作打好基础。 (西安IC：技术服务部) |
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