大半导体产业网消息，清溢光电昨日晚间发布公告称，公司拟在佛山市南海区投资人民币35亿元建设佛山生产基地项目，包括“高精度掩膜版生产基地建设项目”和“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”。

其中，高精度掩膜版生产基地建设项目将分三期进行建设，合计拟投资人民币20亿元，其中一期拟投资8亿元；二期拟投资3亿元，三期拟投资9亿元。一期、二期项目拟购置土地50亩（具体面积以最终挂牌面积为准），自签订《土地出让合同》之月起，在12个月内开工建设、36个月内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

高端半导体掩膜版生产基地建设项目将分三期建设，合计拟投资人民币15亿元，其中一期拟投资6.05亿元，二期拟投资2.95亿元，三期拟投资6亿元。一期、二期项目拟购置土地30亩（具体面积以最终挂牌面积为准），自签订《土地出让合同》之月起，在12个月内开工建设、36个月内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

公告显示，此次投资旨在进一步提升公司的核心竞争力，推动公司整体产业发展的战略布局，提高公司竞争力，促进公司的可持续发展。