据武汉经开区报道，近日，东风集团公布，旗下智新半导体实现量产碳化硅功率半导体突破，东风首批采用纳米银烧结技术的自主碳化硅功率模块，日前从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。

据悉，智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。碳化硅模块项目以智新半导体封装技术为引领，广泛与中央企业、高等院校开展合作，从模块设计、模块封装测试、电控应用到整车路试等环节，实现关键核心技术的自主掌控。目前，碳化硅模块开发项目已参与国资委专项课题1项，参与行业标准制定2项。

该碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。

据了解，智新半导体成立4年来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，其中发明专利11项，并获得湖北省“高新技术企业”认证，武汉市专精特新“小巨人”企业认定。