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泰科天润办公研发总部及8英寸SiC功率器件生产基地项目打桩收尾

来源:大半导体产业网    2024-03-05

年产SiC SBD和MOSFET等类型晶圆2万片,预计实现产值8亿元,2028年达产。

据北京顺义官微消息,日前,泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功率器件生产基地项目全面复工,目前正在进行打桩收尾和结构施工建设准备。

据悉,项目将建设办公研发总部基地及应用于新能源汽车、国家电网等领域6-8英寸碳化硅功率器件生产基地,一期投资4亿元,年产SiC SBD和MOSFET等类型晶圆2万片,预计实现产值8亿元,2028年达产。

泰科天润董事长陈彤表示,项目建成后,泰科天润将整体迁入中关村顺义园第三代半导体产业基地内,进一步统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节,研发生产用于新能源汽车、国家电网等领域的功率器件,推动商业模式创新和市场拓展,服务好更多的下游产业。

资料显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司是国内较早致力于第三代半导体功率器件制造,并实现产业化的领军企业。目前,该公司各功率等级的器件已在国内外市场广泛应用,性能达到国际一流水平。


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