大半导体产业网消息，3月2日拓荆科技发布早间公告称，公司基于整体战略布局及经营发展的需要，为加快产能规划及产业布局，拟投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”，本项目由公司及其子公司拓荆创益共同实施。
据悉，本项目拟选址于沈阳市浑南区，项目占地面积约147亩，其中公司拟购买土地使用权面积约42亩，拓荆创益拟购买土地使用权面积约105亩（具体以实际情况为准）；项目总投资额约为人民币11亿元，其中公司投资金额约为人民币3.8亿元，拓荆创益投资金额约为人民币7.2亿元。
公告披露，该项目建设周期预计为4年。拓荆科技认为，项目通过建设高端半导体设备产业化基地，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半导体设备产品未来的产业化需求，进而满足集成电路制造产线的扩产需求，有利于推动集成电路设备技术的发展，对于落实国家发展战略规划具有重要意义。此外，本项目将为现有研发成果及新工艺、新产品投入量产提供支撑条件，其有利于提升公司核心竞争力，巩固公司在行业的领先地位。
