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总投资200亿元,武汉长飞先进半导体基地项目迎来新进展

来源:大半导体产业网    2024-05-08

项目成功完成首榀桁架吊装,完工后将成为国内碳化硅产能前列,世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。

据中建一局官微消息,近日,国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装,标志着项目钢结构施工全面展开,助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。

据悉,长飞先进武汉基地项目位于湖北省武汉市,总投资200亿元。其中,一期已于2023年9月开工,预计今年6月封顶,2025年上半年形成产能。完工后将成为国内碳化硅产能前列,集产品设计、外延生长、晶圆制造、封装测试于一体,且全智能化的世界一流碳化硅器件制造标杆工厂。建成后预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片、功率器件模块6100万个,将广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

长飞先进董事长庄丹曾表示,该项目建成后,将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作,吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业,助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。


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