据北京顺义官微消息，中关村顺义园企业北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领先于国际同类产品标准。

据悉，铭镓半导体半绝缘型（010）铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际可做到25毫米×25毫米尺寸，而铭镓半导体可以做到40毫米×25毫米尺寸，可稳定生产多炉且累计一定库存。导电型（001）锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际上可达到4英寸，铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破，并将逐步稳定工艺供货。