关于开展“第十一届（2016年度）中国半导体创新产品和技术项目”评选活动的通知 

会员单位及有关单位：

历经十年的中国半导体创新产品和技术评选活动，已经成为反映中国半导体产业创新的晴雨表和风向标。在“十三五”开局的2016年，中国的半导体产业围绕“中国制造2025”、“互联网+”等一系列国家战略的实施，创新发展取得新的进展，面向云计算、大数据、物联网、智能硬件、智能制造等新兴领域的产品和技术创新取得新的突破。为持续提升半导体产业链核心技术创新能力，加快从单点技术和单一产品的创新向多技术融合的系统化、集成化创新转变， 中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会与中国电子报社将继续联合举办“第十一届中国半导体创新产品和技术项目”评选（2016年度）活动。
一、评选范围和条件
评选范围为半导体产业的创新产品和创新技术，包括集成电路、分立器件(半导体功率器件、光电器件)、MEMS、半导体设备和仪器、半导体专用材料。
评选条件如下：
1、产品或技术的研发主体是在中国注册的企业或事业单位，主要研发工作在中国内地完成；
2、产品或技术拥有自主知识产权，具有创新性和先进性；
3、产品或技术已经得到实际应用，在产业化方面已取得一定进展；
4、产品或技术在国家有关部门受理或授权的相关专利时间在2014-2016年度；
5、已被评为“中国半导体创新产品和技术项目”的产品和技术不再参评。
二、评选步骤与办法
“第十一届（2016年度）中国半导体创新产品和技术项目”评选活动程序，按推报候选产品或技术、确定候选项目、投票评选、颁奖典礼和媒体宣传等五个步骤进行。
1、候选产品或技术的申报及推报
会员单位可以自荐本单位产品或技术参选；非协会会员单位可由中国半导体行业协会（含协会各分会）、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报社或地方半导体（集成电路）行业协会推荐。
2、确定候选产品或技术
评委会秘书处对所有推报项目的材料进行审核、整理、汇总，将符合推报要求的产品或技术项目提交评委会。
评委会根据推报项目的具体情况，综合考虑评选条件的要求，确定最终的候选产品与技术。
3、投票评选
评委会召开评审会，听取秘书处对候选产品情况的说明；审看候选产品相关背景资料；对候选产品或技术进行讨论和评审，进行无记名投票。
当选产品或技术需获得到会评委三分之二以上(含三分之二)的票数。
4、颁奖典礼
主办方将于2017年3月，在“2017年中国半导体市场年会”上举行颁奖典礼。
三、活动宣传
主办单位对获奖产品和技术以报告形式报送发改委、工业和信息化部、商务部、科技部、财政部等部委的相关司局。《中国电子报》、《中国集成电路》和《中国半导体行业信息网》对评选活动和获奖产品及技术进行专题报道。

四、评选材料申报方式和报名截止时间
1、申报材料采取电子版（申报表）与纸质材料并行申报方式。
2、纸质材料包括：申报表（附件）、产品或技术鉴定、验收和评价报告，专利受理或授权证书复印件，布图保护登记证书复印件，产品或技术的用户报告（尽量提供），产品照片，产品商标。纸质版材料一式二份，简单装订成册。
3、报名截止时间：2016年12月31日
纸质文件邮寄：北京海淀区万寿路27号电子大厦316室（100846）
联系人：白  洁 010-68207275 13501096021
   吴  京 010-68208591 13901366795
电子版申报表（附件）发送至：baijie0105@gmail.com  ,  bj@csia.net.cn  
4、电子版申报表下载：关于开展“第十一届（2016年度）中国半导体创新产品和技术项目”评选活动的通知及评选申报表
五、评委会秘书处联系方式

单  位：中国半导体行业协会      联系人：吴  京

地  址：北京市海淀区万寿路27号电子大厦316室（100846）

电  话：010-68208591/13901366795 邮件： wjj@csia.net.cn

   

单  位：中国电子材料行业协会      联系人：袁  桐

地  址：北京市朝阳区胜古中路2号院5号楼金基业大厦711/716室（100029）

电  话：010-64498802    邮件：yuantong@c-e-m.com

单  位：中国电子专用设备工业协会      联系人：金存忠

地  址：北京市海淀区复兴路49号A座208室（100036）

电  话：010-68860519      邮件：cepea@163.com  

单  位：中国电子报      联系人：任爱青

地  址：北京市海淀区紫竹院路66号赛迪大厦8层（100048）

电  话：010-88558879     邮件：renaq@cena.com            

                                        二O一六年十月三十日

                                        来源:中国半导体行业协会