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DRAM劲涨 台厂“绩”昂


DRAM和储存型快闪记忆体(NANDFlash)在淡季同时缺货,尤其DRAM涨势凶猛,让主要记忆体族群今年营运看旺。国内DRAM厂均已退出标准型供应正规战,转攻利基型市场,以利基型DRAM通常一季议价一次,因而未能享用如三星、SK海力士和美光营运直接受到产品飙涨挹注,但随着涨势愈猛,台厂包括南亚科、华邦电和力晶等,也同步沾光。

  

  近期DRAM涨势主要由三星主导,且涨势仍未停歇,首季标准型DRAM涨幅逾三成,行动式DRAM约15~20%,伺服器用DRAM涨幅在25~30%。三大应用领域同飙,让主要供应商三星、SK海力士、美光去年营运翻身,股价也大爆发,尤其美光股价大涨1.3倍,格外受到瞩目。

  

  法人看好南亚科、华邦电、旺宏、力晶等拥有记忆体制造产能的公司,本季起业绩将明显提升,不过南亚科因部分产能转进20奈米,产出会减少,让涨价利益失色不少。

  

  旺宏因具备NANDFlash和NORFlash两项记忆体制造实力,加上原来被视为包袱的12寸晶圆厂折旧几乎摊提完毕,让旺宏今年光是折旧短少,就可为公司带来可观利益,加上两项记忆体都相继切入车用及物联网等大厂,今年营运改观。

  

  至于模组厂中,则以拥有货源较多的威刚和群联成为大赢家,但随着低价库存逐渐消化,预料第2季起,普遍会承受成本垫高价及调货不易等困扰。

  

  群联稍早已主动公布去年前11月税前盈余达50.46亿元,超越去年整年的44.73亿元,每股税前盈余25.6元。由于10月及11月合计税前盈余为12.67亿元,法人预期去年第4季获利仍可超过上季,创单季获利新高,也将去年全年获利推向历史高峰。

 

来源:经济日报        

 


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