紫光布局／Flash军备竞赛再起 产能埋隐忧

储存型快闪存储器（NANDFlash）军备竞赛再起，南韩存储器大厂SK海力士和紫光集团旗下的长江存储都加入3DNANDFlash军备竞争，尤其长江存储武汉厂启动建厂，将在2018年投产，为届时市场出现供过于求情况埋下隐忧。

　　目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍然供不应求，但南韩记存储器大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储器厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但为NANDFlash市场投下新变数。

　　稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半年启用，第一期投资额15.6兆韩元（134亿美元），估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM市占已接近50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3DNANDFlash为主。

　　另外，三星大陆西安厂NANDFlash首期生产规模也达每月10万片。

　　美光并购尔必达后，将新加坡DRAM厂转为生产NANDFlash，同时也全力发展3DNANDFlash，其中新加坡10X厂已于今年9月正式投产3DNANDFlash，美光执行长邓肯（MarkDurcan）还专程抵达新加坡主持启用典礼。

　　全球第二大快闪存储器供应商东芝半导体也宣布在日本四日市进行扩建，新产能也预定2017年陆续产出。

来源:经济日报